製品情報 SiC ショットキーバリアダイオード メーカー19社の製品一覧
クリックランキング (2025年3月)SiC ショットキーバリアダイオードとは
SiC ショットキーバリアダイオードとは、シリコンカーバイド（SiC、炭化ケイ素)を用いて作ったショットキ―バリアダイオード（SBD）。シリコン（Si）と比べてシリコンカーバイド（SiC）は、高い絶縁破壊電界強度、高いバンドギャップ、熱伝導率の良好な半導体材料。そのためSiCショットキ―バリアダイオードは、高速性がありながら高耐圧であり、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用される。
- 機器の高効率化に貢献する650V第3世代SiCショットキーバリアダイオード
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新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー(JBS)構造を最適化しています。これにより、低い順方向電圧1.2V(typ.) を実現しました。また、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しており、損失を低減し機器の高効率化に貢献します。
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インフィニオン テクノロジーズ
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ショットキーダイオード
CoolSiC(TM) ショットキーダイオード
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リテルヒューズ
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ショットキー（Si/SiC）
シリコンバイポーラダイオードと比べて逆回復がごくわずかなため、スイッチングロスが少なく、システムの効率が劇的に向上
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Alpha & Omega Semiconductor
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Silicon Carbide (SiC) Diodes
高いスイッチング周波数と電力密度の高い設計に対して、低い順方向降下とゼロ逆回復性能
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Cissoid
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High Temperature SiC Schottky Diode
(-55°C TO 225°C)
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B To B）の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
SiC ショットキーバリアダイオードのクリックランキング
2025年3月 BEST12
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | マイクロチップ | 17.9% |
| 1 | 東芝デバイス＆ストレージ | 17.9% |
| 3 | ローム | 14.3% |
| 4 | STマイクロエレクトロニクス | 10.7% |
| 4 | インフィニオン テクノロジーズ | 10.7% |
| 6 | リテルヒューズ | 7.1% |
| 7 | 三菱電機 半導体・デバイス | 3.6% |
| 7 | 富士電機 | 3.6% |
| 7 | オンセミ | 3.6% |
| 7 | Good-Ark | 3.6% |
| 7 | PANJIT | 3.6% |
| 7 | Wolfspeed | 3.6% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。
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