製品情報 高周波 IC メーカー33社の製品一覧
クリックランキング (2024年11月)高周波 ICとは
高周波 ICとは、無線周波領域の電気信号処理を行なう半導体集積回路。RF IC（Radio Frequency IC）ともいう。「高周波」の範囲は難しい。無線周波の範囲としては1kHz～1THzくらいだろうが、無線通信用領域に限れば10kHz～10GHzか。いずれにせよ明確な定義はない。このカテゴリの製品には、変調、復調、ミキサ、デバイダ、アンプ、ローノイズアンプ（LNA）、RFスイッチ、チューナーなど様々な製品がある。
- 『ADMV8505』 225～520MHz、デジタル調整可能、バンドパス・フィルタ
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ADMV85051 は、動作周波数をデジタルで選択可能な RF バンド・パス・フィルタです。フィルタの中心周波数（fCENTER）は、特許取得済みのキャリブレーション技術を組み込んだ8ビット値（256ステート）を使用して、225MHzから520MHzまで調整できます。大型のスイッチド・フィルターやディスクリートのチューナブル・フィルターからの置き換えが可能で、高度な通信アプリケーションにおいてダイナミックに調整が可能です。
- 『ADL5960』～20 GHzベクトル・ネットワーク・アナライザ・フロントエンド
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広帯域、小型フォーム・ファクタのベクトル・ネットワーク・アナライザ・フロントエンドで、抵抗双方向ブリッジ、ダウンコンバージョン・ミキサ、プログラマブルIFアンプ／フィルタ、柔軟性の高い局部発振器（LO）インタフェースで構成されています。ブリッジは17GHzまで14dB以上の指向性を提供する。RFINからRFOUTへの一次伝送ラインは50Ωに広帯域整合され、低周波数での損失はわずか1.1dB、20GHzでは1.8dBに増加する。
- 『ADRF5534』 3.1GHz～4.2GHzのレシーバー・フロント・エンド
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時分割複信（TDD）アプリケーション用に設計された統合型RFフロント・エンド・マルチチップ・モジュールです。このデバイスは3.1GHz～4.2GHzの範囲で動作します。LNAと高出力シリコンSPDTスイッチを備えた構成となっています。
3.6GHzの受信動作において、LNAは、1.3dBの低ノイズ指数（NF）と35.5dBの高ゲイン、−4dBmの3次入力インターセプト・ポイント（IIP3）を備えています。
- 『ADL8106』GaAs、pHEMT、低ノイズ・アンプ、20GHz～54GHz
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ADL8106 は、ガリウムヒ素（GaAs）、擬似高電子移動度移動（pHEMT）、モノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）、20 GHz～54 GHz で動作する広帯域低雑音増幅器です。 30GHz～44GHzにおいて、利得21.5dB、1dB圧縮時の出力電力（OP1dB）14dBm、標準出力3次インターセプト（OIP3）21.5dBmを提供します。
■電源電圧：3V/120mA
■50Ωに整合した入出力
■15mm x 15mm、24リードLGAパッケージ
- 『ADL8142』 GaAs、pHEMT、MMIC、低ノイズ・アンプ、23GHz～31GHz
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ADL8142は､ガリウムヒ素(GaAs)､モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)､擬似高電子移動度トランジスタ(pHEMT)､低雑音広帯域アンプで､23GHzから31GHzで動作します。また､ADL8142は､入力と出力がAC結合され内部で50Ωに整合されているため､大容量のマイクロ波無線アプリケーションに理想的な製品となっています。
■27dBゲインと1.6dBの低雑音指数
■2Vの電源電圧で25mAの低消費電力
■2mm×2mmの小型パッケージ
- 『HMC1126』 GaAs pHEMT パワー・アンプ、2GHz～50GHz
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HMC1126は、ガリウム・ヒ素（GaAs）、擬似格子整合型高電子移動度転送（pHEMT）、モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の分布型パワー・アンプで、動作範囲は2GHz～50GHz です。
■1dB圧縮ポイント（P1dB）の出力電力: 17.5dB
■飽和出力電力（PSAT）: 21dBm
■ゲイン: 11dB
■出力3次インターセプト・ポイント（IP3）: 28dBm
■電源電圧: 5V/65mA ■ダイ・サイズ: 2.3 mm x 1.45 mm x 0.05 mm
- 広帯域特性を持つ低雑音増幅器（LNA）
- アスニクス コンタクト
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BeRex社の広帯域LNA（BLシリーズ）は、温度特性補償された独自のバイアス回路を用いることで、温度や電圧変化に対する消費電流の変動が少ないデバイスを実現しています。その為、幅広いアプリケーションでご利用頂けます。
その他、ハイパワー増幅器/RFスイッチ/ミキサー/パワーデバイダについてもお取り扱いしております。
＜仕様例＞
周波数：5～6000MHz NF：0.3～1.5ｄB 電圧：3.0～5.0V
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アナログ・デバイセズ
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ワイヤレス・センサー・ネットワーク
SmartMesh IP, SmartMesh WirelessHART
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RF / マイクロ波
RFアンプ、通信アナログ・フロントエンド、RFモジュール、ダイレクト・デジタル・シンセサイザ、RFパワー・ディテクタ、RFプリディストーションIC、RF集積化トランシーバ、トランスミッタ、レシーバ、RFスイッチ、I/Q変調器／復調器、RF ミキサー、チューナブル・フィルタ、可変ゲイン・アンプ（VGA）、直交型デジタル・アップ・コンバータ（QDUC）
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ローム
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Sub-GHz LSI, SoC
1GHz 以下の周波数で動作する無線ＬSI
Sub-GHzを使用するM-BUS、Wi-SUN, Sigfoxなどの各種規格に対応
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セイコーエプソン 電子デバイス
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RFトランスミッタIC
UHF帯の特定周波数に対応した無線通信の送信機、特定小電力無線の標準規格に対応
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旭化成エレクトロニクス
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無線通信IC
ダイレクトコンバージョントランシーバー IC、無線機用ベースバンド IC、狭帯域可変型 IF フィルター内蔵 FM IF 検波 IC
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日清紡マイクロデバイス
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車載用RFデバイス
車載用RFスイッチ、車載用フロントエンドモジュール
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通信用IC & RFデバイス
FM IF検波IC、変調/復調/ミキサ IC、高周波アンプ/PLL IC、ローノイズアンプ（LNA）、RFスイッチ、フロントエンドモジュール、SAWフィルタ、AM/FMラジオチューナーIC、パワーラインコミュニケーションIC
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Melexis
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RF receiver/transceiver/transmitter
LIN transceiver, CAN transceiver, 125kHz RFID transceiver, NFC Sensor Tag IC
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pSemi
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RF device
Switch, Tuning control switch(TCS), Digital step attenuator(DSA), Digitally tunable capacitor(DTC), Power limiter, Mixer, Prescaler, Monolithic phase & amplitude controller(MPAC), Wi-Fi front-end module(FEM), Digital phase shifter(DPS), Switch + low-noise amplifier(LNA)
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Linx Technologies
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RF Modules
315/418/433/868/869/900/916MHz、トランスミッタ、レシーバ、エンコーダ、デコーダ
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Altum RF
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Power Amplifier
MMICパワーアンプ、ガリウムヒ素Eバンドパワーアンプ、Xバンド向け、高データレート向けリニアアンプ、Kuバンド向け、Kバンド向け
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Low Noise Amplifier（LNA)
LNA、driver amplifier
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Distributed Amplifier
広帯域分布型アンプ
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Cermetek Microelectronics
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Embedded Wireless Devices
900 MHz and 2.4 GHz wireless modules
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ルネサス エレクトロニクス
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ワイヤレスオーディオ
ワイヤレスヘッドセットからセミプロ用マイクに至るまで、低遅延オーディオとバッテリ寿命の向上したHi-Fiオーディオデバイス
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AMCOM Communications
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Hybrid Power Modules
High Power Amplifier Module
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Nordic Semiconductor
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ANT(TM)
ANTのプロトコルスタックとANTの接続RF IC, スポーツ、フィットネスとヘルスケア製品のためのワイヤレスセンサとハブを含む超低消費電力無線センサネットワークのアプリケーション
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2.4GHz RF
超低消費電力2.4GHz帯 RF IC
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Micro Analog Systems (MAS)
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Time code receiver IC
AM receiver IC
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ReliaSat
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K/Ka band Synthesizer
Fixed Frequency Surface Mount Synthesizer、Programmable Surface Mount Frequency Synthesizer
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B To B）の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
高周波 ICのクリックランキング
2024年11月 BEST19
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 旭化成エレクトロニクス | 12.5% |
| 1 | マイクロチップ | 12.5% |
| 3 | ローム | 9.4% |
| 4 | アナログ・デバイセズ | 6.3% |
| 4 | Z-Communications | 6.3% |
| 4 | アスニクス | 6.3% |
| 4 | ASB | 6.3% |
| 4 | 日清紡マイクロデバイス | 6.3% |
| 9 | セイコーエプソン 電子デバイス | 3.1% |
| 9 | STマイクロエレクトロニクス | 3.1% |
| 9 | 東芝デバイス＆ストレージ | 3.1% |
| 9 | Melexis | 3.1% |
| 9 | Skyworks | 3.1% |
| 9 | pSemi | 3.1% |
| 9 | tenx technology | 3.1% |
| 9 | Linx Technologies | 3.1% |
| 9 | 中央電子工業 | 3.1% |
| 9 | SGMICRO | 3.1% |
| 9 | Altum RF | 3.1% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。
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