製品情報 GaN パワーデバイス メーカー8社の製品一覧
クリックランキング (2024年4月)GaN パワーデバイスとは
GaN パワーデバイスとは、窒化ガリウム（ガリウムナイトライド）を材料とする半導体。SiC（シリコンカーバイド）半導体と並ぶ化合物半導体である。絶縁破壊電界強度や電子の飽和速度が高く、ON抵抗は低く、熱に強く、放熱性も良い。スイッチングが速く、省電力であることから、GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）として高周波用途が先行していたが、コストの低下と製造技術の進歩から、一般パワーデバイス用途にも広がっている。
- NEW100V、35A GaNハーフ ブリッジ電力段『LMG2100R044』
- テキサス・インスツルメンツ(TI) オンライン購入
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■用途は降圧、昇圧、昇降圧コンバータなど
■4.4mΩ の GaN FET とドライバを内蔵
■電圧定格：連続 80V、パルス 100V
■3.3V、5V、12V の入力ロジック・レベルをサポート
■低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
■ゲート・ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
■5.50mm × 4.50mm VQFN パッケージ (16ピン)
- 650V 170mΩ GaN パワー FET『LMG3624』
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■用途はAC/DC アダプタおよびチャージャなど
■FLT ピン通知付きの過熱保護
■伝搬遅延が小さい内蔵ゲート ドライバ
■広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
■サイクル単位の過電流保護
■AUX 静止電流：240μA
■8mm × 5.3mm VQFNパッケージ (38ピン)
- 650V 270mΩ GaN パワー FET『LMG3626』
- テキサス・インスツルメンツ(TI) オンライン購入
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■用途はAC/DC アダプタおよびチャージャなど
■FLT ピン通知付きの過熱保護
■伝搬遅延が小さい内蔵ゲート ドライバ
■広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
■サイクル単位の過電流保護
■AUX 静止電流：240μA
■8mm × 5.3mm VQFNパッケージ (38ピン)
- 650V 120mΩ GaN パワー FET『LMG3622』
- テキサス・インスツルメンツ(TI) オンライン購入
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■用途はAC/DC アダプタおよびチャージャなど
■FLT ピン通知付きの過熱保護
■伝搬遅延が小さい内蔵ゲート ドライバ
■広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
■サイクル単位の過電流保護
■AUX 静止電流：240μA
■8mm ×5.3mm QFNパッケージ
- 保護機能、温度レポート機能を内蔵、600V、50mΩ の GaN FET『LMG3422R050』
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■用途はソーラー・インバータや産業用モーター・ドライブなど
■ハード・スイッチング・トポロジで JEDEC JEP180 認定 済み
■ゲート・ドライバ内蔵の 600-V GaN オン Si FET
■サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
■ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
■デジタル温度 PWM 出力
■12.00mm × 12.00mmのVQFN パッケージ（54ピン）
- ドライバと保護機能内蔵のGaN FET『LMG3522R030-Q1』
- テキサス・インスツルメンツ(TI) オンライン購入
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■用途はオンボード充電器およびワイヤレス充電器など
■車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
■7.5V～18V 電源で動作
■デジタル温度 PWM 出力
■ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
■接合部温度：-40℃～+150℃
■12mm × 12mm の VQFN パッケージ（52ピン）
- 保護/温度レポート機能搭載GaN FET『LMG3522R030』
- テキサス・インスツルメンツ(TI) オンライン購入
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■用途はスイッチ・モード・パワー・コンバータなど
■ゲート・ドライバ内蔵の650-V GaNオンSi FET
■20V/ns～150V/nsのスルーレート制御可能
■高度な電源管理：デジタル温度PWM出力
■過電流保護とラッチ付き短絡保護（応答時間100ns未満）
■12mm x 12mmの52ピンVQFNパッケージ
- 窒化ガリウム「CoolGaNTM」
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最高の効率と信頼性～新たなパワー・パラダイム～
■シリコンを凌ぐ基本的な利点がある窒化ガリウム（GaN）。
■特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性。
■シリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適。
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インフィニオン テクノロジーズ
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窒化ガリウム（GaN）デバイス
CoolGaN(TM)
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ローム
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GaNパワーデバイス
省エネ・小型化に寄与するGaNデバイスを「EcoGaN™シリーズ」としてラインアップ
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B To B）の対象です。各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
GaN パワーデバイスのクリックランキング
2024年4月 BEST8
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | テキサス・インスツルメンツ(TI) | 23.4% |
| 2 | ローム | 22.3% |
| 3 | インフィニオン テクノロジーズ | 21.3% |
| 4 | Nexperia | 9.6% |
| 4 | Efficient Power Conversion (EPC) | 9.6% |
| 6 | ルネサス エレクトロニクス | 5.3% |
| 7 | Transphorm | 4.3% |
| 7 | GaN Systems | 4.3% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。
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